型号:SIB419DK-T1-GE3 | 类别:FET - 单 | 制造商:Vishay Siliconix |
封装:PowerPAK? SC-75-6L | 描述:MOSFET P-CH 12V 9A SC75-6 |
详细参数
类别 | FET - 单 |
---|---|
描述 | MOSFET P-CH 12V 9A SC75-6 |
系列 | - |
制造商 | Vishay Siliconix |
FET型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
FET特点 | 标准 |
漏极至源极电压(Vdss) | 12V |
电流_连续漏极(Id)0a025000C | 9A |
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C | 60 毫欧 @ 5.2A,4.5V |
Id时的Vgs(th)111最大222 | 1V @ 250µA |
闸电荷(Qg)0a0Vgs | 11.82nC @ 5V |
输入电容(Ciss)0a0Vds | 562pF @ 6V |
功率_最大 | 13.1W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | PowerPAK? SC-75-6L |
供应商设备封装 | PowerPAK? SC-75-6L 单 |
包装 | 带卷 (TR) |
供应商
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